基本信息
| 标准名称： | 用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法 |
| 英文名称： | STANDARD test method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes |
| 中标分类： | 电子元器件与信息技术 >> 半导体分立器件 >> 半导体二极管 |
| ICS分类： | |
| 发布部门： | 国家技术监督局 |
| 发布日期： | 1993-01-02 |
| 实施日期： | 1994-10-01 |
| 首发日期： | 1993-12-30 |
| 作废日期： | 1900-01-01 |
| 主管部门： | 信息产业部（电子） |
| 归口单位： | 信息产业部（电子） |
| 起草单位： | 机械电子工业部所和所 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 1900-01-01 |
| 页数： | 平装16开， 页数：12， 字数：19千字 |
适用范围
本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的原理、仪器与材料、样品制备、测量步骤和数据处理。本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值(见附录Ｂ)的相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层，也适用于体材料。
前言
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目录
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引用标准
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所属分类： 电子元器件与信息技术 半导体分立器件 半导体二极管